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Registros recuperados : 41 | |
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Registro Completo
Biblioteca(s): |
Embrapa Instrumentação. |
Data corrente: |
22/12/1999 |
Data da última atualização: |
22/12/1999 |
Autoria: |
ONMORI, R. K.; MATTOSO, L. H. C.; FARIA, R. M. |
Afiliação: |
USP-Escola Politecnica; EMBRAPA-CNPDIA; USP-IFSC. |
Título: |
Obtencao e caracterizacao de diodo usando a poli(o-metoxianilina). |
Ano de publicação: |
1995 |
Fonte/Imprenta: |
In: ENCONTRO NACIONAL DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, 18., jun. 1995, Caxambu, MG. Resumos... Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. |
Páginas: |
p.261-262. |
Idioma: |
Português |
Conteúdo: |
O objetivo da trabalho e a fabricacao e caracterizacao de um diodo retificador de corrente eletrica usando a poli(o-metoxianilina) (-POMA-) em substituicao ao silicio. Usando uma lamina de vidro como substrato, deposita-se uma pelicula de POMA (5000 angstrom) atraves da tecnica de "spin coating". Uma nova camada de material fotossensivel a UV e depositada e a partir da tecnologia de fotolitografia tem-se uma "mascara" na superficie da POMA, protegendo determinadas regioes. O conjunto e imerso numa solucao de HCl. O HCl e um agente dopante em contato com a POMA. Apos a secagem e a remocao da fotomascara, deposita-se prata para os contatos eletricos nas regioes dopadas e nao-dopadas. Na interface entre a regiao dopada e a nao surge uma barreira de potencial caracterizada pelo equipamento HP-4145B. Resultados preliminares, como a curva corrente por tensao, mostram a presenca da barreira com correntes de fuga inferiores a 2nA a -8V e correntes de 30nA a 3,5V. |
Palavras-Chave: |
Corrente eletrica; Diodo; Poli(o-metoxianilina); POMA. |
Categoria do assunto: |
-- |
Marc: |
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Registro original: |
Embrapa Instrumentação (CNPDIA) |
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