01607naa a2200205 a 450000100080000000500110000800800410001910000180006024500710007826000090014930000150015852009740017365300220114765300100116965300260117965300090120570000220121470000170123677301480125310269451999-12-22       1995    bl uuuu     u00u1 u    #d1 aONMORI, R. K.  aObtencao e caracterizacao de diodo usando a poli(o-metoxianilina).  c1995  ap.261-262.  aO objetivo da trabalho e a fabricacao e caracterizacao de um diodo retificador de corrente eletrica usando a poli(o-metoxianilina) (-POMA-) em substituicao ao silicio. Usando uma lamina de vidro como substrato, deposita-se uma pelicula de POMA (5000 angstrom) atraves da tecnica de "spin coating". Uma nova camada de material fotossensivel a UV e depositada e a partir da tecnologia de fotolitografia tem-se uma "mascara" na superficie da POMA, protegendo determinadas regioes. O conjunto e imerso numa solucao de HCl. O HCl e um agente dopante em contato com a POMA. Apos a secagem e a remocao da fotomascara, deposita-se prata para os contatos eletricos nas regioes dopadas e nao-dopadas. Na interface entre a regiao dopada e a nao surge uma barreira de potencial caracterizada pelo equipamento HP-4145B. Resultados preliminares, como a curva corrente por tensao, mostram a presenca da barreira com correntes de fuga inferiores a 2nA a -8V e correntes de 30nA a 3,5V.  aCorrente eletrica  aDiodo  aPoli(o-metoxianilina)  aPOMA1 aMATTOSO, L. H. C.1 aFARIA, R. M.  tIn: ENCONTRO NACIONAL DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, 18., jun. 1995, Caxambu, MG. Resumos... Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995.