02156nam a2200301 a 450000100080000000500110000800800410001910000220006024500970008226000740017930000140025350001230026752011670039065000110155765000190156865000130158765300310160065300140163165300250164565300320167065300230170270000160172570000160174170000250175770000290178270000200181170000230183111539502018-10-08       2003    bl uuuu     u00u1 u    #d1 aRESENDE, G. M. de  aAdubação foliar com silício em alface americana (Lactuca sativa L.) em cultivo de verão.  aHorticultura Brasileira, Brasília, DF, v. 21, n. 2, jul. 2003.c2003  c1 CD-ROM.  aSuplemento. Edição de Resumos expandidos e palestras do 43. Congresso Brasileiro de Olericultura, Recife, jul. 2003.  aCom o objetivo de avaliar a influência de doses de silício sobre o rendimento e qualidade da alface americana (Lactuca sativa L.), foram conduzidos três ensaios distintos no período de novembro de 2002 a janeiro de 2003, no município de Três Pontas - MG. Utilizou-se o delineamento de blocos ao acaso com cinco doses de silício (0; 0,9; 1,8; 2,7 e 3,6 kg/ha) e quatro repetições, aplicadas em três diferentes épocas via foliar (14, 21 e 28 dias após o transplantio). A massa fresca total apresentou efeito quadrático na qual a dose 1,7 kg/ha de silício resultou em maior rendimento. Para épocas de aplicação, praticamente não se verificou diferenças, tendo a aplicação aos 14 dias sobressaído com 706,0 g/planta. Para massa fresca comercial, constatou-se que a aplicação de 2,1 kg/ha de silício possibilitou o maior retorno. Para aplicação aos 21 e 28 dias após o transplantio se evidenciou efeitos quadráticos onde as doses de 0,8 e 1,5 kg/ ha de silício propiciaram a melhor conservação pós-colheita da alface. A circunferência da cabeça e o comprimento de caule não apresentaram efeitos significativos entre os tratamentos.  aAlface  aLactuca Sativa  aSilício  aCircunferência da cabeça  aComercial  aComprimento do caule  aConservação pós-colheita  aMassa fresca total1 aYURI, J. E.1 aMOTA, J. H.1 aFREITAS, S. A. c. de1 aRODRIGUES JÚNIOR, J. C.1 aSOUZA, R. J. de1 aCARVALHO, J. G. de