Data/hora: 23/06/2024 04:22:41

Biblioteca(s): | Embrapa Instrumentação.
Data corrente: | 22/12/1999
Data da última atualização: | 18/08/2009
Autoria: | ONMORI, R. K.; MATTOSO, L. H. C.; FARIA, R. M.
Afiliação: | USP-Escola Politecnica; EMBRAPA-CNPDIA; USP-IFSC.
Título: | Transistor tipo FET do polímero poli(o-metoxianilina).
Ano de publicação: | 1997
Fonte/Imprenta: | In: ENCONTRO NACIONAL DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, 20., jun. 1997, Caxambu, MG. Resumos... São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1997.
Páginas: | p. 292.
Idioma: | Português
Conteúdo: | Os materiais plasticos - polimeros organicos sinteticos sao os mais recentes aplicados a industria de transformacao e bens de consumo. Por sua versatilidade oriunda de suas propriedades mecanicas facilidade de processamento e baixos custos em diversas aplicacoes, surgiu uma nova linha de pesquisa conhecida como Polimeros Condutores. Decorrente dessa pesquisa usamos o polimero poli (o-metoxianilina), conhecida como POMA na fabricacao de dispositivos eletro-eletronicos. Como resultado foi construido um transitor de efeito de campo onde o material condutor e a POMA dopada com ácido cloridrico. O dispositivo foi construido sobre uma lamina de silicio tipo p, onde e aplicada a tensao de prota Vg, com uma camada de oxido de silicio de 70nm de espessura, eletrodos de ouro com formato de pente espacados de 10, 20 e 30 micrometro, servindo de dreno e fonte, coberta com uma camada de POMA dopada com espessura de 20nm. A caracteristica eletrica Id X Vd desse dispositivo e semelhante ao de um transitor tipo FET convencional. Foi proposto um modelo teorico baseado em contatos Schottky e lacunas como portadores de conducao para explicar o seu comportamento eletrico para tensoes Vg i 0 (aumento ID) e VG i 0(diminuicao deID), ajustando-se perfeitamente as curvas experimentais. Foi observado ainda que o polimero e fotosensivel e usando o mesmo dispositivo sob iluminacao controlada na faixa de luz visivel, podemos observar um aumento na corrente eletrica proporcional a sua intensidade. O modelo teorico proposto tambem explica esse tipo de comportamento.
Palavras-Chave: | Transistor.
Categoria do assunto: | --
Registro original: | Embrapa Instrumentação (CNPDIA)
Exemplares: | CNPDIA - (5642-1) - UPC - SP - -- - PROCI-97.00180 -  - 1997.00180 - DIS