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Registro Completo |
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Biblioteca(s): |
Embrapa Instrumentação. |
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Data corrente: |
22/12/1999 |
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Data da última atualização: |
18/08/2009 |
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Autoria: |
ONMORI, R. K.; MATTOSO, L. H. C.; FARIA, R. M. |
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Afiliação: |
USP-Escola Politecnica; EMBRAPA-CNPDIA; USP-IFSC. |
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Título: |
Transistor tipo FET do polímero poli(o-metoxianilina). |
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Ano de publicação: |
1997 |
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Fonte/Imprenta: |
In: ENCONTRO NACIONAL DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, 20., jun. 1997, Caxambu, MG. Resumos... São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1997. |
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Páginas: |
p. 292. |
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Idioma: |
Português |
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Conteúdo: |
Os materiais plasticos - polimeros organicos sinteticos sao os mais recentes aplicados a industria de transformacao e bens de consumo. Por sua versatilidade oriunda de suas propriedades mecanicas facilidade de processamento e baixos custos em diversas aplicacoes, surgiu uma nova linha de pesquisa conhecida como Polimeros Condutores. Decorrente dessa pesquisa usamos o polimero poli (o-metoxianilina), conhecida como POMA na fabricacao de dispositivos eletro-eletronicos. Como resultado foi construido um transitor de efeito de campo onde o material condutor e a POMA dopada com ácido cloridrico. O dispositivo foi construido sobre uma lamina de silicio tipo p, onde e aplicada a tensao de prota Vg, com uma camada de oxido de silicio de 70nm de espessura, eletrodos de ouro com formato de pente espacados de 10, 20 e 30 micrometro, servindo de dreno e fonte, coberta com uma camada de POMA dopada com espessura de 20nm. A caracteristica eletrica Id X Vd desse dispositivo e semelhante ao de um transitor tipo FET convencional. Foi proposto um modelo teorico baseado em contatos Schottky e lacunas como portadores de conducao para explicar o seu comportamento eletrico para tensoes Vg i 0 (aumento ID) e VG i 0(diminuicao deID), ajustando-se perfeitamente as curvas experimentais. Foi observado ainda que o polimero e fotosensivel e usando o mesmo dispositivo sob iluminacao controlada na faixa de luz visivel, podemos observar um aumento na corrente eletrica proporcional a sua intensidade. O modelo teorico proposto tambem explica esse tipo de comportamento. MenosOs materiais plasticos - polimeros organicos sinteticos sao os mais recentes aplicados a industria de transformacao e bens de consumo. Por sua versatilidade oriunda de suas propriedades mecanicas facilidade de processamento e baixos custos em diversas aplicacoes, surgiu uma nova linha de pesquisa conhecida como Polimeros Condutores. Decorrente dessa pesquisa usamos o polimero poli (o-metoxianilina), conhecida como POMA na fabricacao de dispositivos eletro-eletronicos. Como resultado foi construido um transitor de efeito de campo onde o material condutor e a POMA dopada com ácido cloridrico. O dispositivo foi construido sobre uma lamina de silicio tipo p, onde e aplicada a tensao de prota Vg, com uma camada de oxido de silicio de 70nm de espessura, eletrodos de ouro com formato de pente espacados de 10, 20 e 30 micrometro, servindo de dreno e fonte, coberta com uma camada de POMA dopada com espessura de 20nm. A caracteristica eletrica Id X Vd desse dispositivo e semelhante ao de um transitor tipo FET convencional. Foi proposto um modelo teorico baseado em contatos Schottky e lacunas como portadores de conducao para explicar o seu comportamento eletrico para tensoes Vg i 0 (aumento ID) e VG i 0(diminuicao deID), ajustando-se perfeitamente as curvas experimentais. Foi observado ainda que o polimero e fotosensivel e usando o mesmo dispositivo sob iluminacao controlada na faixa de luz visivel, podemos observar um aumento na corrente eletrica proporcional a sua intensidade. O mode... Mostrar Tudo |
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Palavras-Chave: |
Transistor. |
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Categoria do assunto: |
-- |
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Registro original: |
Embrapa Instrumentação (CNPDIA) |
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Biblioteca |
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Origem |
Tipo/Formato |
Classificação |
Cutter |
Registro |
Volume |
Status |
URL |
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 | Acesso ao texto completo restrito à biblioteca da Embrapa Agrobiologia. Para informações adicionais entre em contato com cnpab.biblioteca@embrapa.br. |
Registro Completo
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Biblioteca(s): |
Embrapa Agrobiologia. |
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Data corrente: |
10/10/2008 |
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Data da última atualização: |
10/10/2008 |
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Tipo da produção científica: |
Folder/Folheto/Cartilha |
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Autoria: |
GALVÃO, P. G.; MELO, L. H. V. de; GITAHY, P. de M.; VIDAL, M. S.; SILVA, F. R. da; SIMÕES-ARAÚJO, J. L.; BALDANI, J. I. |
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Afiliação: |
Patrícia Gonçalves Galvão, UFRRJ; Leona Henrique Varial de Melo, UFRJ; Patrícia de Medeiros Gitahy, UFRRJ; Marcia Soares Vidal, Embrapa Agrobiologia; Felipe Rodrigues da Silva, Embrapa Recursos Genéticos e Biotecnologia; Jean Luis Simões-Araújo, Embrapa Agrobiologia; José Ivo Baldani, Embrapa Agrobiologia. |
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Título: |
Ajuste metodológico para sequenciamento de plasmídeos de Bacillus thuringiensis subsp. kurstaki estirpe S76. |
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Ano de publicação: |
2008 |
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Fonte/Imprenta: |
Seropédica: Embrapa Agrobiologia, 2008. |
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Páginas: |
1 p. |
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Idioma: |
Português |
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Notas: |
Parceria: UFRRJ; UFRJ; Embrapa Recursos Genéticos e Biotecnologia.
Trabalho apresentado na 54º Congresso Brasileiro de Genética - Salvador/BA, 16 a 19 de setembro de 2008. |
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Thesagro: |
Bacillus Thuringiensis; Plasmídeo. |
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Categoria do assunto: |
-- |
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Marc: |
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Registro original: |
Embrapa Agrobiologia (CNPAB) |
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