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| Registros recuperados : 41 | |
| 20. |  | MELLO, S. V.; MATTOSO, L. H. C.; OLIVEIRA JUNIOR, O. N.; FARIA, R. M. Processibility of poly(o-ethoxyaniline) via the Langmuir-Blodgett technique. In: INTERNATIONAL CONFERENCE ON ORGANIZED MOLECULAR FILMS, 7., Sept. 1995, Numana, Ancona, Italia. Abstract book... [S.l.: s.n.], 1995. p.33. Ref.P-1.97.| Biblioteca(s): Embrapa Instrumentação. |
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| Registros recuperados : 41 | |
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 | Acesso ao texto completo restrito à biblioteca da Embrapa Instrumentação. Para informações adicionais entre em contato com cnpdia.biblioteca@embrapa.br. |
Registro Completo
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Biblioteca(s): |
Embrapa Instrumentação. |
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Data corrente: |
22/12/1999 |
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Data da última atualização: |
22/12/1999 |
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Autoria: |
ONMORI, R. K.; MATTOSO, L. H. C.; FARIA, R. M. |
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Afiliação: |
USP-PEE-Laboratorio de Microeletronica; EMBRAPA-CNPDIA; USP-IFSC. |
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Título: |
Processo de fabricação de um mosfet de poli(o-metoxianilina). |
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Ano de publicação: |
1996 |
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Fonte/Imprenta: |
In: ENCONTRO NACIONAL DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, 19., set. 1996, Aguas de Lindoia, SP. Resumos... Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. |
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Páginas: |
p. 393. |
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Idioma: |
Português |
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Conteúdo: |
A poli(o-metoxianilina) (POMA) e um material polimerico condutivo que alem de apresentar boa estabilidade em suas propriedades eletricas e de facil processamento. Esse trabalho descreve processos realizados para a fabricacao de um transistor de efeito de campo em um filme fino de POMA, tendo como substrato uma lamina de silicio tipo p. A resistencia do silicio e em torno de 1,0 ohm.cm, e sobre ele e depositado uma camada de oxido de silicio (aproximadamente 30nm). Sobre essa estrutura deposita-se um filme fino de POMA (aproximadamente 500nm) pelo processo de "spin coating", ou ainda em forma de filme ultrafino pela tecnica de Langmuir-Blodgett (aproximadamente 10nm). Dopa-se entao o material com uma solucao de trifluor acetico (TFA) 1,0M e com isso, sob polarizacao ha a formacao do canal do transistor. Para a confeccao dos contatos (dreno e fonte) usou-se o processo de litografia por feixe de eletrons. Esta tecnica consiste na deposicao de uma fina pelicula de polimetacrilato de metila (PMMA) cuja sensibilizacao e feita atraves de um feixe de eletrons de um microscopio eletronico de varredura. O feixe e comandado por um microcomputador (PC) de forma a trabsferir o desenho dos contatos. A geometria do dreno e da fonte tem a forma de um pente onde os dentes estao intercalados e distanciados de 10 micrometros. Remove-se a regiao sensibilizada, evapora-se ouro sobre a amostra e remove-se o resto da PMMA com acetona. (...) |
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Palavras-Chave: |
Poli(o-metoxianilina); Transistor. |
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Categoria do assunto: |
-- |
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Marc: |
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520 $aA poli(o-metoxianilina) (POMA) e um material polimerico condutivo que alem de apresentar boa estabilidade em suas propriedades eletricas e de facil processamento. Esse trabalho descreve processos realizados para a fabricacao de um transistor de efeito de campo em um filme fino de POMA, tendo como substrato uma lamina de silicio tipo p. A resistencia do silicio e em torno de 1,0 ohm.cm, e sobre ele e depositado uma camada de oxido de silicio (aproximadamente 30nm). Sobre essa estrutura deposita-se um filme fino de POMA (aproximadamente 500nm) pelo processo de "spin coating", ou ainda em forma de filme ultrafino pela tecnica de Langmuir-Blodgett (aproximadamente 10nm). Dopa-se entao o material com uma solucao de trifluor acetico (TFA) 1,0M e com isso, sob polarizacao ha a formacao do canal do transistor. Para a confeccao dos contatos (dreno e fonte) usou-se o processo de litografia por feixe de eletrons. Esta tecnica consiste na deposicao de uma fina pelicula de polimetacrilato de metila (PMMA) cuja sensibilizacao e feita atraves de um feixe de eletrons de um microscopio eletronico de varredura. O feixe e comandado por um microcomputador (PC) de forma a trabsferir o desenho dos contatos. A geometria do dreno e da fonte tem a forma de um pente onde os dentes estao intercalados e distanciados de 10 micrometros. Remove-se a regiao sensibilizada, evapora-se ouro sobre a amostra e remove-se o resto da PMMA com acetona. (...)
653 $aPoli(o-metoxianilina)
653 $aTransistor
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700 1 $aFARIA, R. M.
773 $tIn: ENCONTRO NACIONAL DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, 19., set. 1996, Aguas de Lindoia, SP. Resumos... Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996.
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Registro original: |
Embrapa Instrumentação (CNPDIA) |
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