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Registro Completo |
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Biblioteca(s): |
Embrapa Instrumentação. |
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Data corrente: |
22/12/1999 |
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Data da última atualização: |
22/12/1999 |
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Autoria: |
ONMORI, R. K.; MATTOSO, L. H. C.; FARIA, R. M. |
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Afiliação: |
USP-Escola Politecnica; EMBRAPA-CNPDIA; USP-IFSC. |
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Título: |
Obtencao e caracterizacao de diodo usando a poli(o-metoxianilina). |
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Ano de publicação: |
1995 |
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Fonte/Imprenta: |
In: ENCONTRO NACIONAL DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, 18., jun. 1995, Caxambu, MG. Resumos... Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. |
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Páginas: |
p.261-262. |
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Idioma: |
Português |
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Conteúdo: |
O objetivo da trabalho e a fabricacao e caracterizacao de um diodo retificador de corrente eletrica usando a poli(o-metoxianilina) (-POMA-) em substituicao ao silicio. Usando uma lamina de vidro como substrato, deposita-se uma pelicula de POMA (5000 angstrom) atraves da tecnica de "spin coating". Uma nova camada de material fotossensivel a UV e depositada e a partir da tecnologia de fotolitografia tem-se uma "mascara" na superficie da POMA, protegendo determinadas regioes. O conjunto e imerso numa solucao de HCl. O HCl e um agente dopante em contato com a POMA. Apos a secagem e a remocao da fotomascara, deposita-se prata para os contatos eletricos nas regioes dopadas e nao-dopadas. Na interface entre a regiao dopada e a nao surge uma barreira de potencial caracterizada pelo equipamento HP-4145B. Resultados preliminares, como a curva corrente por tensao, mostram a presenca da barreira com correntes de fuga inferiores a 2nA a -8V e correntes de 30nA a 3,5V. |
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Palavras-Chave: |
Corrente eletrica; Diodo; Poli(o-metoxianilina); POMA. |
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Categoria do assunto: |
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Marc: |
LEADER 01607naa a2200205 a 4500
001 1026945
005 1999-12-22
008 1995 bl uuuu u00u1 u #d
100 1 $aONMORI, R. K.
245 $aObtencao e caracterizacao de diodo usando a poli(o-metoxianilina).
260 $c1995
300 $ap.261-262.
520 $aO objetivo da trabalho e a fabricacao e caracterizacao de um diodo retificador de corrente eletrica usando a poli(o-metoxianilina) (-POMA-) em substituicao ao silicio. Usando uma lamina de vidro como substrato, deposita-se uma pelicula de POMA (5000 angstrom) atraves da tecnica de "spin coating". Uma nova camada de material fotossensivel a UV e depositada e a partir da tecnologia de fotolitografia tem-se uma "mascara" na superficie da POMA, protegendo determinadas regioes. O conjunto e imerso numa solucao de HCl. O HCl e um agente dopante em contato com a POMA. Apos a secagem e a remocao da fotomascara, deposita-se prata para os contatos eletricos nas regioes dopadas e nao-dopadas. Na interface entre a regiao dopada e a nao surge uma barreira de potencial caracterizada pelo equipamento HP-4145B. Resultados preliminares, como a curva corrente por tensao, mostram a presenca da barreira com correntes de fuga inferiores a 2nA a -8V e correntes de 30nA a 3,5V.
653 $aCorrente eletrica
653 $aDiodo
653 $aPoli(o-metoxianilina)
653 $aPOMA
700 1 $aMATTOSO, L. H. C.
700 1 $aFARIA, R. M.
773 $tIn: ENCONTRO NACIONAL DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, 18., jun. 1995, Caxambu, MG. Resumos... Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995.
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Registro original: |
Embrapa Instrumentação (CNPDIA) |
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