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 | Acesso ao texto completo restrito à biblioteca da Embrapa Semiárido. Para informações adicionais entre em contato com cpatsa.biblioteca@embrapa.br. |
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Registro Completo |
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Biblioteca(s): |
Embrapa Semiárido. |
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Data corrente: |
12/08/2015 |
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Data da última atualização: |
13/08/2015 |
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Autoria: |
GOMES, D. L.; SANTOS, E. M. da C.; SANTOS, G. R. dos; ARAÚJO, K. D.; ANDRADE, A. P. de. |
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Afiliação: |
DANÚBIA LINS GOMES; ÉLIDA MONIQUE DA COSTA SANTOS; GEOVÂNIA RICARDO DOS SANTOS; KALLIANNA DANTAS ARAUJO; ALBERICIO PEREIRA DE ANDRADE. |
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Título: |
Diversidade da Mesofauna invertebrada do solo na Caatinga Alagoana. |
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Ano de publicação: |
2015 |
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Fonte/Imprenta: |
In: SIMPÓSIO DE MUDANÇAS CLIMÁTICAS E DESERTIFICAÇÃO NO SEMIÁRIDO BRASILEIRO, 4., 2015, Petrolina. Experiências e oportunidades para o desenvolvimento. Petrolina: Embrapa Semiárido, 2015. |
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Descrição Física: |
1 CD-ROM. |
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Série: |
(Embrapa Semiárido. Documentos, 262). |
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Idioma: |
Português |
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Conteúdo: |
Objetivou-se avaliar a diversidade da Mesofauna invertebrada do solo na Caatinga alagoana. |
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Palavras-Chave: |
Índice de Pielou; Índice de Shannon; Mesofauna; Organismos do solo. |
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Thesagro: |
Caatinga; Fauna; Solo. |
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Thesaurus Nal: |
Soil. |
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Categoria do assunto: |
P Recursos Naturais, Ciências Ambientais e da Terra |
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Marc: |
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Registro original: |
Embrapa Semiárido (CPATSA) |
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Biblioteca |
ID |
Origem |
Tipo/Formato |
Classificação |
Cutter |
Registro |
Volume |
Status |
URL |
Voltar
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| Acesso ao texto completo restrito à biblioteca da Embrapa Instrumentação. Para informações adicionais entre em contato com cnpdia.biblioteca@embrapa.br. |
Registro Completo
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Biblioteca(s): |
Embrapa Instrumentação. |
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Data corrente: |
22/12/1999 |
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Data da última atualização: |
18/08/2009 |
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Autoria: |
ONMORI, R. K.; MATTOSO, L. H. C.; FARIA, R. M. |
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Afiliação: |
USP-Escola Politecnica; EMBRAPA-CNPDIA; USP-IFSC. |
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Título: |
Transistor tipo FET do polímero poli(o-metoxianilina). |
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Ano de publicação: |
1997 |
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Fonte/Imprenta: |
In: ENCONTRO NACIONAL DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, 20., jun. 1997, Caxambu, MG. Resumos... São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1997. |
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Páginas: |
p. 292. |
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Idioma: |
Português |
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Conteúdo: |
Os materiais plasticos - polimeros organicos sinteticos sao os mais recentes aplicados a industria de transformacao e bens de consumo. Por sua versatilidade oriunda de suas propriedades mecanicas facilidade de processamento e baixos custos em diversas aplicacoes, surgiu uma nova linha de pesquisa conhecida como Polimeros Condutores. Decorrente dessa pesquisa usamos o polimero poli (o-metoxianilina), conhecida como POMA na fabricacao de dispositivos eletro-eletronicos. Como resultado foi construido um transitor de efeito de campo onde o material condutor e a POMA dopada com ácido cloridrico. O dispositivo foi construido sobre uma lamina de silicio tipo p, onde e aplicada a tensao de prota Vg, com uma camada de oxido de silicio de 70nm de espessura, eletrodos de ouro com formato de pente espacados de 10, 20 e 30 micrometro, servindo de dreno e fonte, coberta com uma camada de POMA dopada com espessura de 20nm. A caracteristica eletrica Id X Vd desse dispositivo e semelhante ao de um transitor tipo FET convencional. Foi proposto um modelo teorico baseado em contatos Schottky e lacunas como portadores de conducao para explicar o seu comportamento eletrico para tensoes Vg i 0 (aumento ID) e VG i 0(diminuicao deID), ajustando-se perfeitamente as curvas experimentais. Foi observado ainda que o polimero e fotosensivel e usando o mesmo dispositivo sob iluminacao controlada na faixa de luz visivel, podemos observar um aumento na corrente eletrica proporcional a sua intensidade. O modelo teorico proposto tambem explica esse tipo de comportamento. MenosOs materiais plasticos - polimeros organicos sinteticos sao os mais recentes aplicados a industria de transformacao e bens de consumo. Por sua versatilidade oriunda de suas propriedades mecanicas facilidade de processamento e baixos custos em diversas aplicacoes, surgiu uma nova linha de pesquisa conhecida como Polimeros Condutores. Decorrente dessa pesquisa usamos o polimero poli (o-metoxianilina), conhecida como POMA na fabricacao de dispositivos eletro-eletronicos. Como resultado foi construido um transitor de efeito de campo onde o material condutor e a POMA dopada com ácido cloridrico. O dispositivo foi construido sobre uma lamina de silicio tipo p, onde e aplicada a tensao de prota Vg, com uma camada de oxido de silicio de 70nm de espessura, eletrodos de ouro com formato de pente espacados de 10, 20 e 30 micrometro, servindo de dreno e fonte, coberta com uma camada de POMA dopada com espessura de 20nm. A caracteristica eletrica Id X Vd desse dispositivo e semelhante ao de um transitor tipo FET convencional. Foi proposto um modelo teorico baseado em contatos Schottky e lacunas como portadores de conducao para explicar o seu comportamento eletrico para tensoes Vg i 0 (aumento ID) e VG i 0(diminuicao deID), ajustando-se perfeitamente as curvas experimentais. Foi observado ainda que o polimero e fotosensivel e usando o mesmo dispositivo sob iluminacao controlada na faixa de luz visivel, podemos observar um aumento na corrente eletrica proporcional a sua intensidade. O mode... Mostrar Tudo |
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Palavras-Chave: |
Transistor. |
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Categoria do assunto: |
-- |
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Marc: |
LEADER 02099naa a2200169 a 4500
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245 $aTransistor tipo FET do polímero poli(o-metoxianilina).
260 $c1997
300 $ap. 292.
520 $aOs materiais plasticos - polimeros organicos sinteticos sao os mais recentes aplicados a industria de transformacao e bens de consumo. Por sua versatilidade oriunda de suas propriedades mecanicas facilidade de processamento e baixos custos em diversas aplicacoes, surgiu uma nova linha de pesquisa conhecida como Polimeros Condutores. Decorrente dessa pesquisa usamos o polimero poli (o-metoxianilina), conhecida como POMA na fabricacao de dispositivos eletro-eletronicos. Como resultado foi construido um transitor de efeito de campo onde o material condutor e a POMA dopada com ácido cloridrico. O dispositivo foi construido sobre uma lamina de silicio tipo p, onde e aplicada a tensao de prota Vg, com uma camada de oxido de silicio de 70nm de espessura, eletrodos de ouro com formato de pente espacados de 10, 20 e 30 micrometro, servindo de dreno e fonte, coberta com uma camada de POMA dopada com espessura de 20nm. A caracteristica eletrica Id X Vd desse dispositivo e semelhante ao de um transitor tipo FET convencional. Foi proposto um modelo teorico baseado em contatos Schottky e lacunas como portadores de conducao para explicar o seu comportamento eletrico para tensoes Vg i 0 (aumento ID) e VG i 0(diminuicao deID), ajustando-se perfeitamente as curvas experimentais. Foi observado ainda que o polimero e fotosensivel e usando o mesmo dispositivo sob iluminacao controlada na faixa de luz visivel, podemos observar um aumento na corrente eletrica proporcional a sua intensidade. O modelo teorico proposto tambem explica esse tipo de comportamento.
653 $aTransistor
700 1 $aMATTOSO, L. H. C.
700 1 $aFARIA, R. M.
773 $tIn: ENCONTRO NACIONAL DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, 20., jun. 1997, Caxambu, MG. Resumos... São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1997.
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Embrapa Instrumentação (CNPDIA) |
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