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Registro Completo |
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Biblioteca(s): |
Embrapa Instrumentação. |
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Data corrente: |
22/12/1999 |
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Data da última atualização: |
22/12/1999 |
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Autoria: |
ONMORI, R. K.; MATTOSO, L. H. C.; FARIA, R. M. |
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Afiliação: |
USP-PEE-Laboratorio de Microeletronica; EMBRAPA-CNPDIA; USP-IFSC. |
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Título: |
Processo de fabricação de um mosfet de poli(o-metoxianilina). |
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Ano de publicação: |
1996 |
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Fonte/Imprenta: |
In: ENCONTRO NACIONAL DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, 19., set. 1996, Aguas de Lindoia, SP. Resumos... Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. |
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Páginas: |
p. 393. |
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Idioma: |
Português |
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Conteúdo: |
A poli(o-metoxianilina) (POMA) e um material polimerico condutivo que alem de apresentar boa estabilidade em suas propriedades eletricas e de facil processamento. Esse trabalho descreve processos realizados para a fabricacao de um transistor de efeito de campo em um filme fino de POMA, tendo como substrato uma lamina de silicio tipo p. A resistencia do silicio e em torno de 1,0 ohm.cm, e sobre ele e depositado uma camada de oxido de silicio (aproximadamente 30nm). Sobre essa estrutura deposita-se um filme fino de POMA (aproximadamente 500nm) pelo processo de "spin coating", ou ainda em forma de filme ultrafino pela tecnica de Langmuir-Blodgett (aproximadamente 10nm). Dopa-se entao o material com uma solucao de trifluor acetico (TFA) 1,0M e com isso, sob polarizacao ha a formacao do canal do transistor. Para a confeccao dos contatos (dreno e fonte) usou-se o processo de litografia por feixe de eletrons. Esta tecnica consiste na deposicao de uma fina pelicula de polimetacrilato de metila (PMMA) cuja sensibilizacao e feita atraves de um feixe de eletrons de um microscopio eletronico de varredura. O feixe e comandado por um microcomputador (PC) de forma a trabsferir o desenho dos contatos. A geometria do dreno e da fonte tem a forma de um pente onde os dentes estao intercalados e distanciados de 10 micrometros. Remove-se a regiao sensibilizada, evapora-se ouro sobre a amostra e remove-se o resto da PMMA com acetona. (...) |
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Palavras-Chave: |
Poli(o-metoxianilina); Transistor. |
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Categoria do assunto: |
-- |
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Marc: |
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Registro original: |
Embrapa Instrumentação (CNPDIA) |
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Biblioteca |
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Origem |
Tipo/Formato |
Classificação |
Cutter |
Registro |
Volume |
Status |
URL |
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Registro Completo
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Biblioteca(s): |
Embrapa Amazônia Ocidental. |
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Data corrente: |
08/04/2024 |
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Data da última atualização: |
08/04/2024 |
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Tipo da produção científica: |
Resumo em Anais de Congresso |
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Autoria: |
PINTO, A. C. da S.; TADEI, W. P.; NOGUEIRA, K. L.; POHLIT, A. M.; CHAVES, F. C. M. |
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Afiliação: |
ANA CRISTINA DA SILVA PINTO; WANDERLI PEDRO TADEI, INPA; KARLA LAGOS NOGUEIRA; ADRIAN MARTIN POHLIT; FRANCISCO CELIO MAIA CHAVES, CPAA. |
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Título: |
Avaliação adulticida de derivados semi-sintéticos do dilapiol em Aedes aegypti. |
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Ano de publicação: |
2009 |
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Fonte/Imprenta: |
In: REUNIÃO ANUAL DA SBPC, 61., 2009, Manaus. Anais / resumos... Manaus: SBPC, 2009. |
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Idioma: |
Português |
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Conteúdo: |
Visando uma contribuição no combate ao mosquito Aedes aegypti na região, o presente trabalho estuda novos compostos que tenham ação inseticida contra vetores de doenças da Região. |
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Palavras-Chave: |
Derivados sintéticos; Isodilapiol. |
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Thesagro: |
Inseticida. |
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Thesaurus NAL: |
Dengue. |
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Categoria do assunto: |
-- |
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URL: |
https://ainfo.cnptia.embrapa.br/digital/bitstream/doc/1163378/1/sbpcnet.org.br-livro-61ra-resumos-resumos-5829.htm.pdf
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Marc: |
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Registro original: |
Embrapa Amazônia Ocidental (CPAA) |
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