Data/hora: 23/06/2024 01:04:48

Biblioteca(s): 	Embrapa Instrumentação.	
Data corrente: 	22/12/1999	
Data da última atualização: 	18/08/2009	
Autoria: 	ONMORI, R. K.; MATTOSO, L. H. C.; FARIA, R. M.	
Afiliação: 	USP-Escola Politecnica; EMBRAPA-CNPDIA; USP-IFSC.	
Título: 	Transistor tipo FET do polímero poli(o-metoxianilina).	
Ano de publicação: 	1997	
Fonte/Imprenta: 	In: ENCONTRO NACIONAL DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, 20., jun. 1997, Caxambu, MG. Resumos... São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1997.	
Páginas: 	p. 292.	
Idioma: 	Português	
Conteúdo: 	Os materiais plasticos - polimeros organicos sinteticos sao os mais recentes aplicados a industria de transformacao e bens de consumo. Por sua versatilidade oriunda de suas propriedades mecanicas facilidade de processamento e baixos custos em diversas aplicacoes, surgiu uma nova linha de pesquisa conhecida como Polimeros Condutores. Decorrente dessa pesquisa usamos o polimero poli (o-metoxianilina), conhecida como POMA na fabricacao de dispositivos eletro-eletronicos. Como resultado foi construido um transitor de efeito de campo onde o material condutor e a POMA dopada com ácido cloridrico. O dispositivo foi construido sobre uma lamina de silicio tipo p, onde e aplicada a tensao de prota Vg, com uma camada de oxido de silicio de 70nm de espessura, eletrodos de ouro com formato de pente espacados de 10, 20 e 30 micrometro, servindo de dreno e fonte, coberta com uma camada de POMA dopada com espessura de 20nm. A caracteristica eletrica Id X Vd desse dispositivo e semelhante ao de um transitor tipo FET convencional. Foi proposto um modelo teorico baseado em contatos Schottky e lacunas como portadores de conducao para explicar o seu comportamento eletrico para tensoes Vg i 0 (aumento ID) e VG i 0(diminuicao deID), ajustando-se perfeitamente as curvas experimentais. Foi observado ainda que o polimero e fotosensivel e usando o mesmo dispositivo sob iluminacao controlada na faixa de luz visivel, podemos observar um aumento na corrente eletrica proporcional a sua intensidade. O modelo teorico proposto tambem explica esse tipo de comportamento.	
Palavras-Chave: 	Transistor.	
Categoria do assunto: 	--	
Registro original: 	Embrapa Instrumentação (CNPDIA)	
Exemplares: 	CNPDIA - (5642-1) - UPC - SP - -- - PROCI-97.00180 -  - 1997.00180 - DIS