Data/hora: 24/05/2024 17:58:44

Biblioteca(s): 	Embrapa Instrumentação.	
Data corrente: 	22/12/1999	
Data da última atualização: 	22/12/1999	
Autoria: 	ONMORI, R. K.; MATTOSO, L. H. C.; FARIA, R. M.	
Afiliação: 	USP-PEE-Laboratorio de Microeletronica; EMBRAPA-CNPDIA; USP-IFSC.	
Título: 	Processo de fabricação de um mosfet de poli(o-metoxianilina).	
Ano de publicação: 	1996	
Fonte/Imprenta: 	In: ENCONTRO NACIONAL DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, 19., set. 1996, Aguas de Lindoia, SP. Resumos... Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996.	
Páginas: 	p. 393.	
Idioma: 	Português	
Conteúdo: 	A poli(o-metoxianilina) (POMA) e um material polimerico condutivo que alem de apresentar boa estabilidade em suas propriedades eletricas e de facil processamento. Esse trabalho descreve processos realizados para a fabricacao de um transistor de efeito de campo em um filme fino de POMA, tendo como substrato uma lamina de silicio tipo p. A resistencia do silicio e em torno de 1,0 ohm.cm, e sobre ele e depositado uma camada de oxido de silicio (aproximadamente 30nm). Sobre essa estrutura deposita-se um filme fino de POMA (aproximadamente 500nm) pelo processo de "spin coating", ou ainda em forma de filme ultrafino pela tecnica de Langmuir-Blodgett (aproximadamente 10nm). Dopa-se entao o material com uma solucao de trifluor acetico (TFA) 1,0M e com isso, sob polarizacao ha a formacao do canal do transistor. Para a confeccao dos contatos (dreno e fonte) usou-se o processo de litografia por feixe de eletrons. Esta tecnica consiste na deposicao de uma fina pelicula de polimetacrilato de metila (PMMA) cuja sensibilizacao e feita atraves de um feixe de eletrons de um microscopio eletronico de varredura. O feixe e comandado por um microcomputador (PC) de forma a trabsferir o desenho dos contatos. A geometria do dreno e da fonte tem a forma de um pente onde os dentes estao intercalados e distanciados de 10 micrometros. Remove-se a regiao sensibilizada, evapora-se ouro sobre a amostra e remove-se o resto da PMMA com acetona. (...)	
Palavras-Chave: 	Poli(o-metoxianilina); Transistor.	
Categoria do assunto: 	--	
Registro original: 	Embrapa Instrumentação (CNPDIA)	
Exemplares: 	CNPDIA - (5631-1) - UPC - SP - -- - PROCI-96.00154 -  - 1996.00154 - DIS