Data/hora: 25/05/2024 11:45:46

Biblioteca(s): | Embrapa Instrumentação.
Data corrente: | 22/12/1999
Data da última atualização: | 22/12/1999
Autoria: | ONMORI, R. K.; MATTOSO, L. H. C.; FARIA, R. M.
Afiliação: | USP-Escola Politecnica; EMBRAPA-CNPDIA; USP-IFSC.
Título: | Obtencao e caracterizacao de diodo usando a poli(o-metoxianilina).
Ano de publicação: | 1995
Fonte/Imprenta: | In: ENCONTRO NACIONAL DE FISICA DA MATERIA CONDENSADA, 18., jun. 1995, Caxambu, MG. Resumos... Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995.
Páginas: | p.261-262.
Idioma: | Português
Conteúdo: | O objetivo da trabalho e a fabricacao e caracterizacao de um diodo retificador de corrente eletrica usando a poli(o-metoxianilina) (-POMA-) em substituicao ao silicio. Usando uma lamina de vidro como substrato, deposita-se uma pelicula de POMA (5000 angstrom) atraves da tecnica de "spin coating". Uma nova camada de material fotossensivel a UV e depositada e a partir da tecnologia de fotolitografia tem-se uma "mascara" na superficie da POMA, protegendo determinadas regioes. O conjunto e imerso numa solucao de HCl. O HCl e um agente dopante em contato com a POMA. Apos a secagem e a remocao da fotomascara, deposita-se prata para os contatos eletricos nas regioes dopadas e nao-dopadas. Na interface entre a regiao dopada e a nao surge uma barreira de potencial caracterizada pelo equipamento HP-4145B. Resultados preliminares, como a curva corrente por tensao, mostram a presenca da barreira com correntes de fuga inferiores a 2nA a -8V e correntes de 30nA a 3,5V.
Palavras-Chave: | Corrente eletrica; Diodo; Poli(o-metoxianilina); POMA.
Categoria do assunto: | --
Registro original: | Embrapa Instrumentação (CNPDIA)
Exemplares: | CNPDIA - (5505-1) - UPC - PL - -- - PROCI-95.00089 -  - 1995.00089 - DIS