02147nam a2200289 a 450000100080000000500110000800800410001910000230006024501690008326001320025230000140038449000430039852011720044165000220161365000110163565000150164665000200166165300100168165300280169165300180171965300170173770000250175470000200177970000200179970000210181970000170184019742362013-12-17       2013    bl uuuu     u00u1 u    #d1 aFERREIRA, G. de O.  aPropagação vegetativa de plantas originadas do cruzamento entre Psidium guajava x Psidium guineense, resistentes a Meloidogyne enterolobii.h[electronic resource]  aIn: JORNADA DE INICIAÇÃO CIENTÍFICA DA EMBRAPA SEMIÁRIDO, 8., 2013, Petrolina. Anais... Petrolina: Embrapa Semiáridoc2013  ap. 15-19.  a(Embrapa Semiárido. Documentos, 253).  aO objetivo do trabalho foi propagar, por meio de estaquia, o híbrido interespecífico Psidium guajava x Psidium guineense para ser usado como porta-enxerto em goiabeiras comerciais, suscetíveis a Meloidogyne enterolobii. As estacas semilenhosas foram submetidas à imersão da parte basal em solução de ácido indol-butírico (AIB), na concentração de 1.500 mg/L por 15 minutos. Após esse tratamento as estacas foram imediatamente colocadas para enraizar em caixas plásticas perfuradas contendo substrato comercial e permaneceram sob nebulização intermitente em casa de vegetação, por 60 dias, para evitar a desidratação e facilitar o enraizamento. Plantas com ótimo estádio vegetativo foram transplantadas para sacos plásticos perfurados contendo mistura de solo + esterco de curral + areia fina + substrato comercial na proporção 2:1:1:1. Observou-se que das 1.194 estacas, 680 apresentaram bom desenvolvimento vegetativo, proporcionando uma eficiência de 57% de pegamento. A aplicação de 1.500 mg/L de AIB para a propagação por estaquia do híbrido interespecífico proporcionou boa formação das mudas e ótimo desenvolvimento vegetativo.  aPsidium guineense  aGoiaba  aNematóide  aPsidium Guajava  aGuava  aMeloidogyne enterolobii  aPorta-enxerto  aPropagação1 aNASCIMENTO, R. de C.1 aCOSTA, S. R. da1 aNOGUEIRA, T. O.1 aSANTOS, C. A. F.1 aFLORI, J. E.